شبیه سازی یک ترانزیستور با تأثیر میدان حساس به یون (ISFET)-کامسول

(Simulation of an Ion-sensitive Field-effect Transistor (ISFET

یک ترانزیستور با تأثیر میدان حساس به یون (ISFET) با جایگزین کردن تماس دروازه MOSFET با الکترولیت مورد علاقه ساخته می‌شود. غلظت یک گونۀ یونی خاص در الکترولیت را می‌توان با اندازه‌گیری تغییر در ولتاژ دروازه به دلیل تعامل بین یون‌ها و دی‌الکتریک درگاه تعیین کرد.

این آموزش سنسور pH ISFET روشی را برای برقراری اتصال بین مدل نیمه‌هادی و مدل الکترولیت نشان می‌دهد. همچنین تکنیک استفاده از یک معادلۀ سراسری ساده برای استخراج پارامترهای عملیاتی را نشان می‌دهد، بدون اینکه نیازی به مدل‌سازی دقیق مدار بازخورد واقعی باشد.

ماژول‌های استفاده شده