سلول خورشیدی سیلیکونی یک‌بعدی-کامسول

در این آموزش از یک مدل یک‌بعدی سادۀ سلول خورشیدی سیلیکونی استفاده شده تا مراحل اساسی برای تنظیم و انجام یک شبیه‌سازی فیزیکی دستگاه را با ماژول نیمه‌هادی نشان دهد. یک عبارت تعریف شده توسط کاربر برای میزان تولید عکس استفاده شده و نتیجه منحنی‌های معمولی I-V و P-V سلول‌های خورشیدی را نشان می‌دهد.

مکانیسم تولید حامل از اثر فتوولتائیک با جزئیات مدل‌سازی نشده است. در عوض، یک عبارت تعریف شده توسط کاربر برای کل نرخ تولید، بر اساس قانون بایر با طیف جذب Si تجربی و یک طیف تقریبی AM1.5 استفاده می‌شود. مدل Shockley-Read-Hall برای ثبت اثر اصلی نوترکیبی استفاده شده است. در شرایط عملیاتی عادی، حامل‌های تولید شده توسط عکس به هر طرف ناحیۀ تخلیۀ محل اتصال p-n جابجا می‌شوند. یک ولتاژ کوچک یک‌طرفۀ رو به جلو برای استخراج توان الکتریکی استفاده شده که توسط محصول فتوکورنت و ولتاژ اعمال شده داده می‌شود.

برای کسب اطلاعات بیشتر در مورد این مثال، به یک پست مرتبط با وبلاگ مراجعه کنید: “تجزیه و تحلیل یک سلول خورشیدی سیلیکون با ماژول نیمه‌هادی”.