یک گره دامنه عنصر نامحدود
( ) یک مقیاس مختصات با ارزش واقعی را به لایه ای از دامنه های مجازی اطراف ناحیه فیزیکی مورد نظر اعمال می کند. هنگامی که متغیرهای وابسته به آرامی با فاصله شعاعی از مرکز حوزه فیزیکی تغییر می‌کنند، عناصر محدود را می‌توان در جهت شعاعی کشید به طوری که شرایط مرزی در خارج از لایه عنصر نامتناهی به طور موثر در فاصله بسیار زیادی از هر منطقه اعمال شود. مورد علاقه.
( ) یک مقیاس مختصات با ارزش واقعی را به لایه ای از دامنه های مجازی اطراف ناحیه فیزیکی مورد نظر اعمال می کند. هنگامی که متغیرهای وابسته به آرامی با فاصله شعاعی از مرکز حوزه فیزیکی تغییر می‌کنند، عناصر محدود را می‌توان در جهت شعاعی کشید به طوری که شرایط مرزی در خارج از لایه عنصر نامتناهی به طور موثر در فاصله بسیار زیادی از هر منطقه اعمال شود. مورد علاقه.برای افزودن یک دامنه عنصر نامحدود به هر مؤلفه، روی دامنه عنصر نامحدود در نوار ابزار تعاریف کلیک کنید، یا بر روی گره Definitions در زیر مؤلفه کلیک راست کرده و دامنه عنصر نامحدود را انتخاب کنید . اگر گره‌های زیر گره Component بر اساس نوع گروه‌بندی شده‌اند، در عوض می‌توانید روی 
دامنه‌های مصنوعی در زیر تعریف‌ها کلیک راست کنید .
دامنه‌های مصنوعی در زیر تعریف‌ها کلیک راست کنید .تنظیمات
Label نام دامنه پیش فرض عنصر نامحدود است.
نام پیش‌فرض (برای اولین دامنه عنصر نامتناهی در مدل) عبارت است از . Name یک فضای نام برای متغیرهای ایجاد شده توسط گره Infinite Element Domain فراهم می کند. برای مثال، مختصات x مقیاس شده معمولاً در معادلات و پس پردازش به صورت ie1.x قابل دسترسی است . برای لیست کامل متغیرهای موجود، زیرگره Equation View را ببینید .
 |
برای نمایش گره Equation View در زیر تمام گره های ایجاد متغیر، روی دکمه Show More Options (
 ) کلیک کنید و Equation View را در کادر محاوره ای Show More Options انتخاب کنید. مشاهده معادله را نیز ببینید . |
انتخاب دامنه
مجموعه ای از دامنه ها را مطابق با نوع هندسه انتخابی انتخاب کنید. تنظیمات هندسه استاندارد را ببینید .
هندسه
یک نوع را انتخاب کنید : دکارتی (پیش‌فرض)، کروی ، استوانه‌ای ، یا تعریف شده توسط کاربر .
|
•
|
اگر Spherical انتخاب شده است، موقعیت مرکز هندسه کروی را در جدول مختصات مرکز وارد کنید. برای مدل‌های متقارن محور، فقط مختصات z مورد نیاز است زیرا هندسه باید روی محور متمرکز شود.
|
|
•
|
اگر استوانه ای انتخاب شده است، موقعیت یک نقطه در محور استوانه را در جدول مختصات مرکز وارد کنید. برای مدل‌های سه بعدی، یک بردار جهت محور مرکزی را نیز وارد کنید.
|
|
•
|
اگر User defined انتخاب شده است، ابتدا تعداد جهت های کششی مناسب برای پیکربندی هندسی را انتخاب کنید. سپس برای هر جهت کشش یک تابع فاصله را مشخص کنید ، که فاصله از مرز داخلی دامنه عنصر نامتناهی اندازه‌گیری شده در جهت کشش و ضخامت دامنه را در همان جهت ارزیابی کنید.
|
 |
هر یک از این انواع (به جز نوع تعریف شده توسط کاربر) نیاز به تنظیمات هندسی خاصی دارد و همه آنها برای همه ابعاد فضا در دسترس نیستند.
|
مقیاس بندی
یک نوع کشش مختصات را انتخاب کنید : منطقی (پیش‌فرض) یا تعریف شده توسط کاربر . برای توضیح دقیق گزینه ها به پیاده سازی عناصر نامحدود مراجعه کنید .
برای نوع پیش‌فرض کشش منطقی ، عباراتی را برای عرض فیزیکی (واحد SI: m) و فاصله قطب (واحد SI: m) وارد کنید. مقادیر پیش‌فرض، به ترتیب 1e3*dGeomChar و dGeomChar ، منجر به یک دامنه عنصر نامتناهی می‌شود که در مقایسه با ابعاد هندسی بسیار بزرگ است و با کشش تقریباً تکی 1 / r .
برای نوع کشش تعریف شده توسط کاربر ، یک تابع کشش را از توابع تعریف شده در زیر Global>Definitions یا در Definitions در یک جزء انتخاب کنید، یا مقدار پیش فرض None را بگذارید که به صورت f (ξ) = ξ تفسیر می شود . هر گره تابعی که یک تابع منفرد از یک آرگومان را تعریف کند، برای استفاده به عنوان یک تابع کششی واجد شرایط است. آرگومان به عنوان یک فاصله بی بعد، ξ ، در محدوده 0 تا 1 تفسیر می شود .
 |
اگر ماژول AC/DC دارید، این مثال را ببینید:
مدلسازی یک سلف سه بعدی : مسیر کتابخانه برنامه ACDC_Module/Devices,_Inductive/Inductor_3d
|
 |
اگر ماژول طراحی باتری، ماژول خوردگی، ماژول الکتروشیمی، ماژول رسوب الکترومغناطیسی، یا ماژول پیل سوختی و الکترولایزر دارید این مثال را ببینید:
Voltammetry at a Microdisk Electrode : Application Library path Battery_Design_Module/General_Electrochemistry/microdisk_voltammetry , Corrosion_Module/General_Electrochemistry/microdisk_voltammetry , Electrochemistry_Module/Electroanalysis/microdisk_voltammetry , Electrodeposition_Module/Tutorials/microdisk_voltammetry , Fuel_Cell_and_Electrolyzer_Module/General_Electrochemistry/microdisk_voltammetry
|
