گره محافظ مغناطیسی یک شرط مرزی برای محافظ مغناطیسی اضافه می کند. این ویژگی به خودی خود نشان دهنده یک لایه نازک هندسی با نفوذپذیری نسبی بسیار بالاتر از مواد اطراف است که از میدان مغناطیسی محافظت می کند.
زیرگره ها از منوی زمینه (روی گره والد راست کلیک کنید) یا از نوار ابزار Physics ، منوی ویژگی ها در دسترس هستند. از زیرگره ها برای ارائه یک مدل الکتریکی در بالای مدل مغناطیسی محافظ استفاده کنید. زیرگره های موجود عبارتند از: زیرگره های محافظ الکتریکی ، عایق الکتریکی و امپدانس تماسی . ترکیبات ممکن عبارتند از:
• | محافظ مغناطیسی بدون گره فرعی: این یک لایه بسیار مغناطیسی بدون خواص الکتریکی خاص را نشان می دهد. |
• | محافظ مغناطیسی و محافظ الکتریکی : این ترکیب لایه ای را نشان می دهد که در آن هم نفوذپذیری نسبی μr و هم رسانایی الکتریکی σ بسیار بیشتر از حوزه مجاور است. این لایه از میدان مغناطیسی محافظت می کند و جریان ترجیحاً در امتداد آن جریان دارد. چگالی جریان سطحی حاصل به عنوان منبع میدان مغناطیسی در مدل گنجانده شده است. |
• | محافظ مغناطیسی و عایق الکتریکی : این ترکیب یک لایه مغناطیسی نارسانا را نشان می دهد. این لایه از میدان مغناطیسی محافظت می کند و جریانی از آن عبور نمی کند. پتانسیل الکتریکی در سراسر مرز ناپیوسته است. |
• | سپر مغناطیسی و امپدانس تماس : این ترکیب نشان دهنده یک لایه مغناطیسی مقاومتی است. لایه از میدان مغناطیسی محافظت می کند و جریان ترجیحاً به صورت متعامد به لایه جریان می یابد. پتانسیل الکتریکی در سراسر مرز ناپیوسته است. |
محافظ مغناطیسی
نفوذپذیری نسبی پیش‌فرض μ r (بدون بعد) از مقادیر ماده استفاده می‌کند . برای تعریف شده توسط کاربر ، همسانگرد ، مورب ، متقارن یا کامل را انتخاب کنید و مقادیر یا عبارات دیگر را وارد کنید. برای مواد ناهمسانگرد، نفوذپذیری نسبی یک تانسور است.
یک مقدار یا عبارت برای ضخامت سطح d s (واحد SI: m) وارد کنید.ش
